nm – Übersetzung – Keybot-Wörterbuch

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	— Photoluminescence (PL) and confocal µPL at low temperatures (370-2300 nm, 4.2-300 K)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	— Fotoluminiscencia (PL) y µPL confocal a baja temperatura (370-2300 nm, 4.2-300 K)

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	— Time resolved PL and confocal µPL <100 ps (400-1800 nm, 4.2-300 K)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	— PL y µPL confocal resuelta en el tiempo <100 ps (400-1800 nm, 4.2-300 K)

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Array of Pt nanowires 15 nm width and 40 nm period
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Array de nanohilos de Pt de 15 nm de anchura y 40 nm de periodo

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Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Array de nano-antenas de dipolo. Rango desde cientos de micras a 100 nm.

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Typical resolution 15 nm.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Resolución típica de 15 nm.

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	— PL and confocal µPL at high magnetic fields up to 9 Tesla (370-2300 nm, 4.2-300 K)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	— PL y µPL confocal en alto campo magnético hasta 9 Tesla (370-2300 nm, 4.2-300 K)

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Sage: Interferometer controlled stage (fabrication area of 100 cm2 and automated mark recognition & alignment for overlay patterning) with b) resolution of 15 nm.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Portamuestras: dotado de interferometría LASER que permite empalmar campos de escritura de 100 x 100 μm2 con un error

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	— Porous alumina membranes (15 nm < Φ < 400 nm)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	— Membranas de alúmina porosa (15 nm < Φ < 400 nm)

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	— Porous alumina membranes (15 nm < Φ < 400 nm)
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	— Membranas de alúmina porosa (15 nm < Φ < 400 nm)

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	Other characteristics: Gas Injection System (GIS) to selective deposition of SiOx, Pt, y Mo, with typical resolution of 50 nm. Special 3D stage to fabricate 3D structures.
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Otras características: dotado con un sistema de inyección de gases (GIS) que permite la deposición selectiva de SiOx, Pt, y Mo, con resolución de 50 nm. Dotado de un portamuestras especial (3D) que permite fabricar en 3 dimensiones.

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	November 10, 2015 This equipment is acquired through the project CSIC 13-4E-1794 funded by the European Regional Development Fund. It is offered as a service to the scientific community and companies that are interested in using it. The team is a FEI VERIOS 460 with a maximum resolution of 0.6 nm at 15 kV and 0.7 nm at 1 kV
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Noviembre - 10. 2015 Este equipo se adquiere a traves del Proyecto CSIC13-4E-1794 cofinanciado por el Fondo Europeo de Desarrollo Regional. Se ofrece como servicio a la comunidad científica y a las empresas que estén interesadas en su utilización. El equipo se trata de un FEI VERIOS 460 con una resolución máxima de 0.6 nm a 15 kV y de 0.7 nm a 1 kV.

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Text zeigenZeige Ausgangstext im CacheURL mit Ausgangstext zeigen	November 10, 2015 This equipment is acquired through the project CSIC 13-4E-1794 funded by the European Regional Development Fund. It is offered as a service to the scientific community and companies that are interested in using it. The team is a FEI VERIOS 460 with a maximum resolution of 0.6 nm at 15 kV and 0.7 nm at 1 kV
Textseiten vergleichenHTM-Seiten vergleichenURL mit Ausgangstext zeigenURL mit Zielsprache zeigenimm.cnm.csic.es als Prioritätsdomäne definieren	Noviembre - 10. 2015 Este equipo se adquiere a traves del Proyecto CSIC13-4E-1794 cofinanciado por el Fondo Europeo de Desarrollo Regional. Se ofrece como servicio a la comunidad científica y a las empresas que estén interesadas en su utilización. El equipo se trata de un FEI VERIOS 460 con una resolución máxima de 0.6 nm a 15 kV y de 0.7 nm a 1 kV.

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The systems are able to expose all the standard optical photoresists, while offering some technological advantages when compared to a mask aligner. In addition to writing high resolution 2D patterns. with structure dimensions down to 500 nm, it is also possible to create complex 3D structures in thick photoresist.

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The maskless technology offers high flexibility and improves the turnaround time in research and product development. A direct writing tool will eliminate the lead time for photomasks and allows researchers to implement changes in their devices without delay. The systems are able to expose all the standard optical photoresists, while offering some technological advantages when compared to a mask aligner. In addition to writing high resolution 2D patterns.