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  Defects On SiC  
Electroluminescence is commonly used to identify the extended defects: RISFs emit in the violet at 2.89 eV (430 nm) and the partial dislocations that bound the faulted regions are known to emit in the red at 1.8 eV (690 nm).
On utilise couramment l'électroluminescence afin d’identifier les défauts étendus: les RISF émettent dans le violet à 2,89 eV (430 nm) et on sait que les dislocations partielles qui délimitent les zones de défauts émettent dans le rouge à 1,8 eV (690 nm). Avec le 4H-SiC, on a aussi observé récemment que les dislocations partielles développaient une luminescence verte le long des dislocations partielles de carbone pendant le fonctionnement de l'appareil. Cette émission est conservée même si les RISF sont contractés par le recuit. La vidéo 1 montre comment les RISF prennent de l’expansion au cours de différents temps d'injection de courant et comment les centres luminescents verts se déplacent le long des dislocations partielles. On peut en déduire non seulement que les RISF se déplacent avec l’injection de porteurs dans le SiC, mais également que certains défauts tels que des impuretés de bore peuvent être amenées à se déplacer dans de telles conditions.
  Defects On SiC  
Electroluminescence is commonly used to identify the extended defects: RISFs emit in the violet at 2.89 eV (430 nm) and the partial dislocations that bound the faulted regions are known to emit in the red at 1.8 eV (690 nm).
On utilise couramment l'électroluminescence afin d’identifier les défauts étendus: les RISF émettent dans le violet à 2,89 eV (430 nm) et on sait que les dislocations partielles qui délimitent les zones de défauts émettent dans le rouge à 1,8 eV (690 nm). Avec le 4H-SiC, on a aussi observé récemment que les dislocations partielles développaient une luminescence verte le long des dislocations partielles de carbone pendant le fonctionnement de l'appareil. Cette émission est conservée même si les RISF sont contractés par le recuit. La vidéo 1 montre comment les RISF prennent de l’expansion au cours de différents temps d'injection de courant et comment les centres luminescents verts se déplacent le long des dislocations partielles. On peut en déduire non seulement que les RISF se déplacent avec l’injection de porteurs dans le SiC, mais également que certains défauts tels que des impuretés de bore peuvent être amenées à se déplacer dans de telles conditions.
  CIS  
It has been under the scope of scientists in the field of photovoltaics since the early 90s, when it already exhibited an efficiency exceeding 10% [1]. Its high absorption coefficient, direct band gap (1.52 eV) [2] and nontoxicity make it an ideal candidate for both thin films and quantum dot-sensitized solar cells.
Le cuivre-indium disulfure (CuInS2 ou CIS) est l’un des matériaux les plus prometteurs de la seconde génération de cellules solaires. Il est sous la loupe des scientifiques du domaine photovoltaïque depuis le début des années 90, où il présentait déjà une efficacité de conversion supérieure à 10% [1]. Son coefficient d'absorption élevé, sa bande interdite directe (1.52 eV) [2] et sa non-toxicité en font un candidat idéal pour les films en couche minces et les cellules solaires à base de points quantiques. Cependant, l'efficacité du CIS semble avoir atteint un plateau. Pour continuer à améliorer la prochaine génération de cellules à base de CIS et aller au-delà de cette limite, une compréhension claire de l'impact des méthodes de fabrication sur les propriétés des dispositifs est nécessaire.
  GaAs SOLAR CELLS  
With the help of a spectral and photometric absolute calibration procedure (see section below) developed by IRDEP, it is possible to determine the absolute number of photons emitted from every point of the surface of a sample, at every wavelength.
Avec l'aide d’une méthode brevetée de calibration absolue spectrale et photométrique (voir section plus bas) développée par l’IRDEP, il est possible de déterminer le nombre absolu de photons émis par chaque point de la surface d'un échantillon, et ce, pour chaque longueur d'onde. Cette caractéristique unique permet aux chercheurs d'obtenir une carte de la séparation du quasi-niveau de fermi (Δμeff) de la cellule, directement à partir des images de PL. La séparation du quasi-niveau de fermi est d'un grand intérêt car elle est directement liée à la tension maximale pouvant être atteinte dans une cellule et aux courants de saturation. FIG. 1 présente la carte obtenue de Δμeff/q [1,2]. La séparation du quasi-niveau de fermi mesurée est Δμeff = 1,1676 ± 0,010 eV, avec une petite baisse près du contact électrique (ligne bleue verticale au milieu de la figure 1) et des limites extérieures de la cellule. Les résultats étant en accord avec les multiples études trouvées dans la littérature sur le GaAs, les chercheurs sont maintenant confiants quant à l'exactitude de leur méthode de calibration absolue et les techniques hyperspectrales employées.