gpa – -Translation – Keybot Dictionary

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Keybot 20 Results  www.riken.jp
  Lab Tour: Magnetic Mate...  
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Cubic-anvil type, 1000℃, 4 GPa
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キュービックアンビル型, 常用1000℃, 4GPa
  RIKEN's CMM  
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We have investigated temperature dependence of the Hall coefficient and the resistivity of an organic Mott insulator, β'-(BEDT-TTF)2ICl2 under ambient and hydrostatic pressures up to 2 GPa. The charge gap, the effective mass and the scattering lifetime of carriers on the Mott Hubbard bands were evaluated by analyzing these transport properties.
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(DMe-DCNQI-d7)2Cuに関するこうした解釈に基づくと，α-(BEDT-TTF)2I3で見られた金属－絶縁体転位の転移温度が，基板上のマイクロ結晶では約15 K上昇するというこれまでの結果も，同様の負圧効果が原因であると推測できる。また，転位の温度幅がバルク結晶に比べて広くなる現象も結晶内での歪みが原因であると考えると説明がつく。以上の解釈を前提として，低温の電荷秩序相における電界効果測定を行った。その結果，サンプルはn型の電界効果トランジスタ（FET）動作を示し，I-V曲線はモット・ガーニー則に従うことが明らかとなった。これは一般的な絶縁体にキャリア注入を行う場合と同様の挙動である。昨年度の測定ではON／OFF比が1.1程度と非常に小さい値であったが，今年度は結晶作製条件の最適化を行い，結晶に歪みの生じにくい条件で測定を行うとON／OFF比を40まで向上させることができた。また，基板をシリコンからプラスチックに代えると，転移温度がバルク結晶のそれに近い値となることが明らかになった。一方，α-(BEDT-TTF)2I3は圧力下において，最近注目を集めているグラフェンと同様のゼロギャップ伝導体になることも知られている。ゼロギャップ伝導体は低キャリア密度，高移動度の系であり，電界効果測定に最適の状態にある。従って圧力下での電界効果測定も検討した。現在，シリコン基板を使った実験では圧が均一にかからないが，プラスチック基板を使うと比較的均一に圧力がかかることをつきとめ，さらなる検討を行っているところである。
  RIKEN's CMM  
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We have revealed that (Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2 is a Bi-layer Mott system, which realizes co-existence of antiferromagnetic (AFM) and ferromagnetic (FM) short-range ordering layers below 30 K as well as large negative magnetoresistance (-75 % at 7 T) at 4 K under 1 GPa.
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我々は(Et-4BrT)[Ni(dmit)2]2がBi-layer Mott systemであり、30 K以下の温度領域ではスピン間相互作用が反強磁性的である層と強磁性的である層が共存していること、さらに1 GPaの圧力下、4 Kにおいて、大きな負の磁気抵抗（-75 % at 7 T）を示すことを明らかにしている。本年度はEt-4BrTの臭素原子をヨウ素および塩素原子に置換したカチオンを有するNi(dmit)2アニオンラジカル塩(Et-4IT)[Ni(dmit)2]2および(Et-4ClT)2[Ni(dmit)2]5（図1）を新規に合成し、その結晶構造、電子状態、伝導性および磁性を調べた。
  RIKEN's CMM  
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Because the molecular system has soft lattice and the electronic structure is sensitive to pressure, the external high pressure can enrich a list of new single component molecular metals. We synthesized a neutral molecule crystal [Ni(dmit)2 and measured the high pressure electrical resistivity up to 25.5 GPa.
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そこで、水素原子に次いでファンデルワールス半径の小さいフッ素原子をRに導入することで、(R4Z)[Pd(dmit)2]2塩の微細な化学修飾を行った（図4）。その結果、基本的な結晶構造を保ったまま三角格子の異方性が変化し、電気的物性や磁性が劇的に変わることを見いだした。既に、フッ素の入ったアンモニウム塩β-[(FCH2)Me3N][Pd(dmit)2]2が常圧で金属的性質を示すことを報告していたが、含フッ素ホスホニウム塩β'-[(FCH2)Me3P][Pd(dmit)2]2も同様の条件下で金属状態を示すことがわかった（図5）。これらの結果は、フッ素を含まない(R4Z)[Pd(dmit)2]2塩が常圧下においてMott絶縁体であることと対照的である。β-(FCH2)Me3N塩は、高温領域での磁化率が温度に依存しないパウリ常磁性的振る舞いを示したが、16 Kにおいて反強磁性転移を示した。一方、β'-(FCH2)Me3P塩の磁化率は、高温領域で2次元三角格子系ハイゼンベルグ反強磁性体に特徴的な温度依存性を示し、29Kで反強磁性秩序を示した。カチオンのフッ素化により三角格子へ異方的化学圧力が加わり、バンド幅が広くなったことにより、常圧下でも金属的振る舞いが現れたと考えられる。特にフッ素化されたカチオンの導入によって、結晶のb軸が短くなる傾向が見られた。b軸は、二量体が形成する三角格子の一辺、すなわち遷移積分tSに沿っており（図6）、この向きに化学圧力が加わっていることを示唆している。また、フッ素化されていない(Me4N)[Pd(dmit)2]2が、b軸方向の一軸歪みを加えることで容易に金属状態を示すことからも、この方向への圧力は系を金属化させる重要な鍵となることがわかった。
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Because the molecular system has soft lattice and the electronic structure is sensitive to pressure, the external high pressure can enrich a list of new single component molecular metals. We synthesized a neutral molecule crystal [Ni(dmit)2 and measured the high pressure electrical resistivity up to 25.5 GPa.
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そこで、水素原子に次いでファンデルワールス半径の小さいフッ素原子をRに導入することで、(R4Z)[Pd(dmit)2]2塩の微細な化学修飾を行った（図4）。その結果、基本的な結晶構造を保ったまま三角格子の異方性が変化し、電気的物性や磁性が劇的に変わることを見いだした。既に、フッ素の入ったアンモニウム塩β-[(FCH2)Me3N][Pd(dmit)2]2が常圧で金属的性質を示すことを報告していたが、含フッ素ホスホニウム塩β'-[(FCH2)Me3P][Pd(dmit)2]2も同様の条件下で金属状態を示すことがわかった（図5）。これらの結果は、フッ素を含まない(R4Z)[Pd(dmit)2]2塩が常圧下においてMott絶縁体であることと対照的である。β-(FCH2)Me3N塩は、高温領域での磁化率が温度に依存しないパウリ常磁性的振る舞いを示したが、16 Kにおいて反強磁性転移を示した。一方、β'-(FCH2)Me3P塩の磁化率は、高温領域で2次元三角格子系ハイゼンベルグ反強磁性体に特徴的な温度依存性を示し、29Kで反強磁性秩序を示した。カチオンのフッ素化により三角格子へ異方的化学圧力が加わり、バンド幅が広くなったことにより、常圧下でも金属的振る舞いが現れたと考えられる。特にフッ素化されたカチオンの導入によって、結晶のb軸が短くなる傾向が見られた。b軸は、二量体が形成する三角格子の一辺、すなわち遷移積分tSに沿っており（図6）、この向きに化学圧力が加わっていることを示唆している。また、フッ素化されていない(Me4N)[Pd(dmit)2]2が、b軸方向の一軸歪みを加えることで容易に金属状態を示すことからも、この方向への圧力は系を金属化させる重要な鍵となることがわかった。